Prima etapă a lucrărilor de realizare a unui CIP de memorie flash NAND de 10 nm, cu cea mai avansată tehnologie din lume, a fost finalizată, recent, la Xi'an, de compania sud-coreeană Samsung Electronics. Valoarea investiţiei se ridică la şapte miliarde USD.

Odată cu punerea în funcţiune a liniei de producţie va fi realizat un complex industrial cu o valoare de peste 100 de miliarde yuani, devenind cea de-a treia mare bază de producţie a semiconductorilor din lume, după SUA şi Coreea de Sud. Peste 160 de întreprinderi şi firme de resort vor fi conectate la această bază, numărul locurilor de muncă nou sporite va fi de peste 10 mii.

Ambansadorul sud-coreean Kwon Young-se a declarat, la ceremonia de finalizare a primei etape a lucrărilor, că odată cu punerea în folosinţă a acestui proiect de la Xi'an, în zona centrală şi de vest a Chinei, Samsung a format o divizie industrială bazată pe tehnologia de ultimă oră, lărgind baza de cooperare economică dintre China şi Coreea de Sud.